文献

J-GLOBAL ID：201302260799064908   整理番号：13A1340611

UTBB FDSOI28nmノードのバイアス温度不安定性とホットキャリア回路経年劣化シミュレーション特異性

Bias Temperature Instability and Hot Carrier Circuit Ageing Simulations Specificities in UTBB FDSOI 28nm node

著者 (5件)： ANGOT D. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  HUARD V. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  FEDERSPIEL X. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  CACHO F. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  BRAVAIX A. (IM2NP-ISEN, Toulon, FRA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2013 Vol.2  ページ： 574-578  発行年： 2013年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 部品 ,  *半導体プロセス ,  電圧 ,  ホットキャリア ,  回路 ,  老朽化 ,  シミュレーション ,  性質 ,  MOSFET ,  信頼性 ,  熱安定性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ノード ,  バイアス温度不安定性 ,  ホットキャリア ,  経年劣化 ,  シミュレーション ,  特異性