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J-GLOBAL ID:201302260920731399   整理番号:13A1320000

VHF PECVDプロセスを用いた非晶質から極ナノ結晶性ケイ素膜成長へのアルゴン希釈による影響

Influence of argon dilution on the growth of amorphous to ultra nanocrystalline silicon films using VHF PECVD process
著者 (7件):
資料名:
巻: 577  ページ: 710-716  発行年: 2013年11月15日 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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水素化ケイ素(Si:H)薄膜を非常に高い周波数プラズマ励起化学蒸着(VHF PECVD)により種々のAr濃度(far)で希釈したシラン(SiH4)から堆積させた。Si:H膜の成長と性質へのAr濃度(53~95%)による影響を調べた。far=53%と63%で成長させたデバイス品質の非晶質ケイ素膜は5桁の感光性を示した。結晶の核生成はfar=82%で始まったが,非晶質(a-Si:H)と極ナノ結晶性ケイ素薄膜(ultra nc-Si:H)の混合相はfar=87%で成長した。結晶の核生成と成長はAFM画像で明確に観察できた。far=82%と87%で成長させた膜のTOモードは各々分割とブルーシフトを示した。これらのSi:H膜の水素結合様式の変化がFTIR測定で認められた。加熱と冷却時の温度依存性の暗伝導度の違いは膜中のクラスタ化したSi-H結合の割合が増加するにつれて減少した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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その他の無機化合物の薄膜 

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