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J-GLOBAL ID：201302260938407017   整理番号：13A0921919

ゲートバイアスのストレス下のα-InGaZnO薄膜トランジスタにおける2段階電気的劣化挙動

Two-Step Electrical Degradation Behavior in α-InGaZnO Thin-Film Transistor Under Gate-Bias Stress

著者 (6件)： CHEN Fa-Hsyang (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  PAN Tung-Ming (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  CHEN Ching-Hung (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  LIU Jiang-Hung (Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  LIN Wu-Hsiung (AU Optronics, Hsinchu, TWN) ,  CHEN Po-Hsueh (AU Optronics, Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 5  ページ： 635-637  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウム-ガリウム-酸化亜鉛(α-InGZnO)TFT素子の閾値電圧(V_th)不安定性についてのバイアス電圧と環境の影響を示した。短時間ゲートバイアス印加のV_thの正シフトが見られた。これは,ゲート誘電体あるいはチャネル誘電体界面電荷トラッピングによるものかもしれない。ゲートバイアス電圧を印加した,α-InGZnO TFT素子における2段階電気的劣化挙動は,この環境影響によるものであることを提案した。保護層の品質は,α-InGZnO TFT素子の信頼性特性に影響する。

シソーラス用語： *電圧 ,  ガリウム ,  酸化亜鉛 ,  インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  機構 ,  誘電体 ,  界面 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： *ゲート電圧 ,  電荷トラッピング ,  劣化機構

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲートバイアス ,  ストレス ,  トランジスタ ,  段階 ,  挙動