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J-GLOBAL ID：201302261069900685   整理番号：13A0683063

アモルファスシリコンを犠牲材料として用いた2つの金属電極をもつSU-8 MEMSプロセスの開発

Development of an SU-8 MEMS process with two metal electrodes using amorphous silicon as a sacrificial material

著者 (3件)： RAMADAN Khaled S (Univ. Alberta, AB, CAN) ,  NASR Tarek (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  FOULDS Ian G (King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 23  号： 3  ページ： 035037,1-13  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SU-8は,エポキシベースの高アスペクト比をもつネガティブレジストである。機械的にフレキシブルで,硬化後には安定し,ヤング率が小さく,適度に高密度であるため,MEMSやマイクロ流体応用の構造材料として用いられてきた。本稿では,静止電極と可動電極の2種の金属電極をもつSU-8ベースのMEMSプロセスを開発した。XeF₂ドライリリース法によってスティクションを小さくできるアモルファスシリコンを,犠牲材料として採用した。設計自由度をあげるため,導電性および非導電性の2種類のディンプルを作るオプションも開発した。本プロセスによって,ロジックゲート付きマイクロ電気機械スイッチ,エネルギーハーベスタなどを試作することができた。本プロセスは,ポストCMOS集積と互換性のある最初の製造方法である。

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  機能材料 ,  電極 ,  *MEMS ,  アスペクト比 ,  レジスト ,  硬化 ,  Young率 ,  電気機械 ,  *フォトレジスト
準シソーラス用語： *SU-8 ,  エネルギーハーベスタ ,  ネガティブレジスト ,  犠牲材料 ,  金属電極 ,  高アスペクト比

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： アモルファスシリコン ,  犠牲材料 ,  金属電極 ,  SU-8 ,  MEMS ,  プロセス ,  開発