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J-GLOBAL ID：201302261531782286   整理番号：13A0353375

バルクGaNのハライド気相エピタクシー成長における低温GaNバッファ層の最適化

Optimization of low temperature GaN buffer layers for halide vapor phase epitaxy growth of bulk GaN

著者 (2件)： HEMMINGSSON Carl (Dep. of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE) ,  POZINA Galia (Dep. of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoeping Univ., S-581 83 Linkoeping, SWE)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 366  ページ： 61-66  発行年： 2013年03月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温(LT)GaNバッファ層を用いてc軸配向Al₂O₃上のバルクGaNの成長と自己分離を研究した。LT-GaN厚さとV/III前駆体比に対する非対称性と対称性反射についてX線回折(XRD)特徴の研究により,約100~300nmのLTバッファ厚さを用いて反射ピーク幅が最小になることを見出す。V/III前駆体比が形態に強く影響することを見出した。平滑な形態を得るために,バッファ層成長中V/III前駆体比は17以上にする必要がある。20μm厚さのGaN層の成長において最適化LTバッファ層を用いて,(002)と(105)反射面において約400と約250arcsの半値全幅のXRDピークと約2.2×10⁸cm^-2の暗ピット密度を得る。1mmより厚い層においてGaNが自発的に分離し,このプロセスを用いて厚い自立2′′GaN基板を作製した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *バッファ層 ,  *最適化 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  酸化アルミニウム ,  *エピタクシー ,  *分離 ,  FWHM ,  X線回折
準シソーラス用語： *HVPE【薄膜成長】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： バルク ,  GaN ,  ハライド ,  気相エピタクシー ,  成長 ,  低温 ,  バッファ層 ,  最適化