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J-GLOBAL ID：201302261685577030   整理番号：13A0893001

PEDOT:PSS/n-Siヘテロ接合太陽電池の試作と評価

著者 (4件)： 武田秀弥 (山形大 大学院理工学研究科) ,  金子翔 (山形大 大学院理工学研究科) ,  大山直樹 (山形大 大学院理工学研究科) ,  廣瀬文彦 (山形大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 9(ED2013 1-15)  ページ： 13-16  発行年： 2013年04月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： p型半導体に高分子有機材料であるPEDOT:PSSを用い,n型半導体にn-Siを用いて有機無機ヘテロデバイスの試作を行った。ダイオードの試作では良好な整流性を確認することができ,J-V特性からショットキーダイオードとして動作することを明らかにした。J-V特性とC-V特性からCheung解析と1/C²プロット解析を行い,ショットキー障壁Φ_b,内蔵電位Φ_biを導出した。また理想係数が2.1と高い値をとっていることより有機無機界面に薄い絶縁層が形成されていることがわかった。更にキャリア密度の関係より空乏層の形成がn-Siであることがわかった。このことから光を照射するとn-Si側で電荷分離が起こり発電を行うこともわかった。太陽電池の試作より2.52%程度の発電効率が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： ポリエチレンジオキシチオフェン ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  ポリマブレンド ,  *N型半導体 ,  *ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  有機-無機ハイブリッド ,  Schottky障壁ダイオード ,  Schottky障壁 ,  整流 ,  *有機材料 ,  高分子 ,  電流密度 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  絶縁膜 ,  キャリア密度 ,  空乏層 ,  光照射 ,  エネルギー変換効率 ,  *発電 ,  *酸化膜
準シソーラス用語： PEDOT:PSS ,  発電効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： PEDOT ,  PSS ,  Si ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  試作 ,  評価