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J-GLOBAL ID：201302261968226730   整理番号：13A0860343

不揮発性メモリに適用する電荷捕獲層としてのGa₂O₃(Gd₂O₃)

Ga₂O₃(Gd₂O₃) as a Charge-Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications

著者 (3件)： HUANG X.D. (Univ. Hong Kong, HKG) ,  SIN Johnny K.O. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LAI P.T. (Univ. Hong Kong, HKG)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 12  号： 2  ページ： 157-162  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷捕獲層(CTL)として誘電体を使ったメタル-アルミナ-ナイトライド-酸化物-シリコン(MANOS)型不揮発性メモリは,フローティングゲートに代わる有力候補である。Al/Al₂O₃/GGO/SiO₂キャパシタを使ってGGOに窒素を導入した場合としない時の電荷捕獲特性を調べた。ここでGGOはGa₂O₃(Gd₂O₃)を示す。窒素の無いキャパシタと比較して窒素を含むGGOはメモリウィンドウが広くて低いゲート電圧でプログラム速度が速く,リテンション特性が良好である。これは主に窒化GGO膜の電荷捕獲効率が高く,窒素によってGGO/SiO₂界面に好ましくないシリケート中間層の形成が抑制されたことによるものである。

シソーラス用語： キャリア捕獲 ,  *誘電材料 ,  *不揮発性メモリ ,  酸化ガリウム ,  酸化ガドリニウム ,  保持時間 ,  窒化 ,  コンデンサ ,  容量電圧特性 ,  半導体材料
準シソーラス用語： *キャパシタ ,  メモリウィンドウ【半導体】 ,  リテンションタイム ,  高k材料 ,  電荷捕獲

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不揮発性メモリ ,  電荷捕獲 ,  Ga2O3 ,  Gd2O3