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J-GLOBAL ID：201302262030624458   整理番号：13A1590667

Hall測定用のビスマスナノワイヤ上のOhm接触電極の作製のための集束イオンビーム処理

Focused ion beam processing to fabricate ohmic contact electrodes on a bismuth nanowire for Hall measurements

著者 (3件)： MURATA Masayuki (Saitama Univ., 255 Shimo-okubo, Sakura-ku, 338-8570, Saitama, JPN) ,  MURATA Masayuki (Japan Soc. for the Promotion of Sci., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Yasuhiro (Saitama Univ., 255 Shimo-okubo, Sakura-ku, 338-8570, Saitama, JPN)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 1-10  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四ワイヤ抵抗やHall測定のためのOhm接触電極を,円筒石英テンプレートにカプセル封入されたビスマスの単結晶ナノワイヤ上に作製した。集束イオンビーム処理を利用して,テンプレート内のビスマスナノワイヤの横表面を形成し,その場でビスマスナノワイヤ上に,炭素やタングステンの電極を形成することで,電気的接触を達成した。ビスマスのナノワイヤにおいて,四ワイヤ抵抗の温度依存性を測定し,二ワイヤ法と四ワイヤ法での抵抗率の相違を観測した。二ワイヤ法は,ビスマスのナノワイヤの抵抗値がキロオーム以上と大きい場合でも,接触抵抗の影響により抵抗率測定に不適当であることが分かった。さらに,直径4μmのビスマスのマイクロワイヤのHall測定も実行し,キャリア移動度の温度依存性はビスマスのバルク特性と一致することが分かった。この技術でキャリア移動度を効率良く測定できる。Copyright 2013 Murata and Hasegawa; licensee Springer. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *集束イオンビーム ,  キャリア移動度 ,  カプセル封じ ,  タングステン ,  温度依存性 ,  *ナノワイヤ ,  ビスマス ,  *イオンビーム加工 ,  Ohm接触 ,  *Hall効果 ,  石英ガラス ,  円筒 ,  単結晶 ,  *微小電極 ,  型枠 ,  炭素 ,  パターン形成 ,  電気抵抗率

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (5件)： ビスマス ,  ナノワイヤ ,  Ohm接触 ,  作製 ,  集束イオンビーム