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J-GLOBAL ID：201302262082349781   整理番号：13A0400459

いろいろな温度で焼鈍したa-Si:H/a-SiN_x多層体のミクロ構造と光ルミネッセンス

Microstructures and Photoluminescence of a-Si:H/a-SiN_x Multilayers Annealed at Different Temperature

著者 (5件)： SONG Chao (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN) ,  GUO Yan Qing (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN) ,  WANG Xiang (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN) ,  SONG Jie (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN) ,  HUANG Rui (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 531/532  ページ： 465-468  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に高い周波数(40.68MHz)のプラズマ増強堆積で堆積した一連のa-Si:H/a-SiN_x多層体を450~800°Cで焼鈍してミクロ構造とルミネッセンス特性を検討した。適切な温度で焼鈍した膜の光ルミネッセンス(PL)スペクトルは強い発光を示した。600°Cで焼鈍した膜のPL強度は焼鈍しない試料の2倍以上の強度があった。しかし,800°Cでの焼鈍では,PL強度は600°Cのものより低下した。ラマン分光とFTIR分光で焼鈍した試料の構造を解析した結果では,PL強度の増加は水素の拡散で引き起こされた欠陥状態の増加に原因があった。a-Si:H/a-SiN_x多層体のPL強度の増加は,熱焼鈍がSi基の材料の発光の向上の効果的な方法で有り得ることを示している。

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *水素化物 ,  *光ルミネセンス ,  焼なまし ,  多層 ,  微細構造 ,  温度 ,  放射強度 ,  ケイ素 ,  蒸着膜 ,  多層膜 ,  *窒化ケイ素 ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： *a-Si:H ,  熱処理温度 ,  発光強度

分類 (2件)： ルミネセンス一般  (BM08091B) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 焼鈍 ,  Si ,  多層体 ,  ミクロ構造 ,  光ルミネッセンス