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J-GLOBAL ID：201302262097515351   整理番号：13A1784604

グラフェン電極を持つ高柔軟かつ透明多重層MoS₂トランジスタ

Highly Flexible and Transparent Multilayer MoS₂ Transistors with Graphene Electrodes

著者 (11件)： YOON Jongwon (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR) ,  PARK Woojin (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR) ,  BAE Ga-Yeong (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR) ,  KIM Yonghun (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR) ,  JANG Hun Soo (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR) ,  HYUN Yujun (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR) ,  LIM Sung Kwan (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR) ,  KAHNG Yung Ho (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR) ,  HONG Woong-Ki (Korea Basic Sci. Inst., Jeollabuk-do, KOR) ,  LEE Byoung Hun (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR) ,  KO Heung Cho (Gwangju Inst. Sci. and Technol. (GIST), Gwangju, KOR)
資料名： Small  (Small)
巻： 9  号： 19  ページ： 3295-3300  発行年： 2013年10月11日 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PET基板上に高柔軟で透明なトランジスタを生成するためにCVDで成長した膨張化MoS₂とグラフェンを使用して実例を示した。電気的解析で調べられたこのタイプの素子に対して必要とされる機械的,光学的そして電気的性質を達成するための2次元材料使用の多面性と機械的な曲げに関する安定性試験を検討した。特に,活性チャンネルと電極間の界面障壁高さが素子機能に重要な役割を果たすので,MoS₂とグラフェン間コンタクトへの詳細な研究を行った。PET基板上に開発した極薄トランジスタは高い機械的柔軟性,~74%の光透過率そして~4.7cm²V^-1s^-1の電界効果移動度を持って電流オン/オフ比が>10⁴であった。約~22meVのSchottky障壁で,これはMoS₂/金属の界面と同等である。±2.2mmまでの曲げに対して電気的特性は安定であった。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *電極 ,  *炭素材 ,  単一層 ,  ナノ構造 ,  多層 ,  *硫化モリブデン ,  基板 ,  ポリエチレンテレフタレート ,  *透明導電膜 ,  *柔軟性 ,  化学蒸着 ,  機械的性質 ,  曲げ ,  光学的性質 ,  電気的性質 ,  透過率 ,  キャリア移動度 ,  電場効果 ,  Schottky障壁 ,  比率 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  PET【重合体】 ,  光透過率 ,  多重層 ,  電界効果移動度 ,  オンオフ比

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン電極 ,  多重層 ,  MoS2 ,  トランジスタ