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J-GLOBAL ID:201302262444114680   整理番号:13A1623469

革新的ナノスケールTHzセンサとイメージャ用の半導体素子とカーボン素子

Semiconductor- and Carbon-Devices for Innovative Nanoscale THz Sensors and Imagers
著者 (1件):
資料名:
巻: 2012 Vol.1  ページ: 604-606  発行年: 2012年 
JST資料番号: A0636A  ISSN: 0149-645X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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GaAs/AlGaAsヘテロ接合によるカーボンナノチューブ(CNT)と2次元電子ガス(2DEG)に基づくテラヘルツ(THz)センシングとイメージング技術を提案した。CNTの素子構造はTi/Auフィルムから成るソースとドレイン電極を持ち,CNTによる量子ドット(QD)構造を形成し,周波数可変THz検出器を実現する。高感度実現のため,2DEGと集積化したこの検出器の雑音等価電力は2.5Kで10W/Hzが期待できる。また,高空間分解能を実現するために近傍界THzイメージャを試作した。構成は開口とプローブ,THz検出器であり,THz光検出器をGaAs/AlGaAsチップに集積し,500nmの高分解能を達成した。
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分類 (3件):
分類
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生体計測  ,  その他の光伝送素子  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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