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J-GLOBAL ID：201302262731161576   整理番号：13A1618515

高速高密度の相変化メモリ応用のための超格子類似のSb₅₀Se₅₀/Ga₃₀Sb₇₀薄膜

Superlattice-like Sb₅₀Se₅₀/Ga₃₀Sb₇₀ thin films for high-speed and high density phase change memory application

著者 (7件)： HU Yifeng (Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN) ,  FENG Xiaoyi (Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN) ,  LI Simian (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technol., Dep. of Physics, Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou 510275, CHN) ,  LAI Tianshu (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technol., Dep. of Physics, Sun Yat-Sen Univ., Guangzhou 510275, CHN) ,  SONG Sannian (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Micro-System and Information Technol. ...) ,  SONG Zhitang (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Shanghai Inst. of Micro-System and Information Technol. ...) ,  ZHAI Jiwei (Functional Materials Res. Lab., Tongji Univ., Shanghai 200092, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 15  ページ： 152107-152107-4  発行年： 2013年10月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  材料 ,  *アンチモン化合物 ,  *セレン化物 ,  *アンチモン化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  *人工超格子 ,  抵抗 ,  電子顕微鏡観察 ,  ポンププローブ法 ,  ピコ秒 ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： *セレン化アンチモン ,  *相変化メモリ ,  相変化材料 ,  透過型電子顕微鏡観察 ,  膜抵抗

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高密度 ,  相変化メモリ ,  応用 ,  超格子 ,  類似 ,  薄膜