文献

J-GLOBAL ID：201302262801912612   整理番号：13A1812899

平坦欠陥無し表面を自動取得するためのon-axis Si面6H-SiCウエハの化学機械研磨(CMP)

Chemical mechanical polishing (CMP) of on-axis Si-face 6H-SiC wafer for obtaining atomically flat defect-free surface

著者 (12件)： PAN Guoshun (Tsinghua Univ., State Key Lab. of Tribology, 100084, Beijing, CHN) ,  PAN Guoshun (Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, 518057, Shenzhen, CHN) ,  ZHOU Yan (Tsinghua Univ., State Key Lab. of Tribology, 100084, Beijing, CHN) ,  ZHOU Yan (Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, 518057, Shenzhen, CHN) ,  LUO Guihai (Tsinghua Univ., State Key Lab. of Tribology, 100084, Beijing, CHN) ,  LUO Guihai (Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, 518057, Shenzhen, CHN) ,  SHI Xiaolei (Tsinghua Univ., State Key Lab. of Tribology, 100084, Beijing, CHN) ,  SHI Xiaolei (Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, 518057, Shenzhen, CHN) ,  ZOU Chunli (Tsinghua Univ., State Key Lab. of Tribology, 100084, Beijing, CHN) ,  ZOU Chunli (Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, 518057, Shenzhen, CHN) ,  GONG Hua (Tsinghua Univ., State Key Lab. of Tribology, 100084, Beijing, CHN) ,  GONG Hua (Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, 518057, Shenzhen, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 24  号： 12  ページ： 5040-5047  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い硬度と優れた不活性さによりSiC単結晶ウエハの平坦化は困難であるが,結晶の極性と異方性によってSiCウエハSi面の材料除去速度(MRR)はC面よりも遥かに低い。今回,on-axis Si面6H-SiCウエハの化学機械研磨(CMP)に対して過酸化水素,水酸化カリウム及びコロイドシリカ研磨剤を含むスラリーを導入し,105nm/hの高MRRを得た。表面は階段-台地原子構造と0.0667nm粗さの欠陥無し平坦性を有していた。SiCウエハのMRR,研磨後表面品質及び研磨中の摩擦係数へのスラリー中の三成分の影響を検討した。光学顕微鏡,光干渉プロファイラ及び原子間力顕微鏡を用いて研磨表面を観察した。SiCウエハの研磨機構と超平滑表面の形成も検討した。Copyright 2013 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  単結晶 ,  *ウエハ【IC】 ,  改変 ,  *化学研磨 ,  平坦性 ,  速度 ,  スラリー ,  過酸化水素 ,  水酸化カリウム ,  研磨剤 ,  表面性状 ,  顕微鏡観察 ,  *化学機械研磨 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  6H-SiC ,  コロイドシリカ ,  除去速度 ,  平坦化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 平坦 ,  欠陥 ,  Si ,  6H-SiC ,  ウエハ ,  化学機械研磨 ,  CMP