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J-GLOBAL ID：201302262844283503   整理番号：13A0026530

単結晶β-Ga₂O₃基板を用いたPt/β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード

Pt/β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes Using Single-Crystal β-Ga₂O₃ Substrates

著者 (7件)： 佐々木公平 (タムラ製作所) ,  佐々木公平 (情報通信研究機構) ,  東脇正高 (情報通信研究機構) ,  東脇正高 (JST-さきがけ) ,  倉又朗人 (タムラ製作所) ,  増井建和 (光波) ,  山腰茂伸 (タムラ製作所)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 327(ED2012 65-92)  ページ： 25-28  発行年： 2012年11月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単結晶Ga₂O₃(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した。フローティングゾーンで作製した単結晶Ga₂O₃基板は高い結晶性を有しており,X線ロッキングカーブの半値幅は32秒,エッチピット密度は1×10⁴cm^-2であった。作製したデバイスはショットキー特性の理想係数がほぼ理想値1.0を示し,電界集中緩和構造を用いていないシンプルなデバイス構造で150V程度の耐圧が得られた。ショットキーバリアハイトを評価した結果,Pt/β-Ga₂O₃界面のバリアハイトは1.3-1.5eVであることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *単結晶 ,  *酸化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  Schottky障壁 ,  浮遊融解 ,  結晶度 ,  ロッキングカーブ ,  半値幅 ,  エッチピット ,  欠陥密度 ,  電流密度 ,  電流電圧特性 ,  絶縁耐力

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単結晶 ,  β-Ga2O3 ,  Pt ,  ショットキーバリアダイオード