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J-GLOBAL ID：201302262972885230   整理番号：13A1283186

InP(311)B基板上の低密度自己集合InAs量子ドットの分子ビームエピタクシーによる作製

Fabrication of low-density self-assembled InAs quantum dots on InP(311)B substrate by molecular beam epitaxy

著者 (2件)： AKAHANE Kouichi (National Inst. of Information and Communications Technol. (NICT), 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  YAMAMOTO Naokatsu (National Inst. of Information and Communications Technol. (NICT), 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 378  ページ： 450-453  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP(311)B基板上に温度を制御して低密度InAs自己集合量子ドットを作製する方法を開発し,基板温度上昇と共に量子ドットの横方向の大きさと高さが増大することを見つけた。InAs量子ドットの密度は1.28×10¹⁰/cm²へ低下し,これはメサ構造当り一個の量子ドットに対応し,直径は100nmであった。光ルミネセンスは1.55μmの光ファイバ通信帯で室温でも明確なスペクトルを示した。InAsが大きくなると光ルミネセンスピーク波長の青方偏移が観測された。この異常な光ルミネセンス特性は比較的高い成長温度におけるInの再蒸着とIn偏析とにより説明できた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  リン化インジウム ,  半導体材料 ,  自己集合 ,  *量子ドット ,  化合物半導体 ,  *MBE成長 ,  メサ構造 ,  光ルミネセンス ,  青方偏移 ,  *発光スペクトル ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： *半導体量子ドット

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  低密度 ,  自己集合 ,  InAs量子ドット ,  分子ビームエピタクシー ,  作製