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J-GLOBAL ID：201302263068083589   整理番号：13A0495087

プラズマ増強ALDと最適化プリカーサを使用した銅シード層厚みのスケーリング

Scaling of Copper Seed Layer Thickness Using Plasma-Enhanced ALD and Optimized Precursors

著者 (5件)： MAO Jiajun (SUNY, NY, USA) ,  EISENBRAUN Eric (SUNY, NY, USA) ,  OMARJEE Vincent (American Air Liquide, DE, USA) ,  KOROLEV Andrey (American Air Liquide, DE, USA) ,  DUSSARRAT Christian (American Air Liquide, DE, USA)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 26  号： 1  ページ： 17-22  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： プラズマCVD ,  *化学蒸着 ,  単原子層 ,  スケーリング【計数】 ,  厚み ,  前駆体 ,  *下層 ,  *銅めっき
準シソーラス用語： *ALD【蒸着】 ,  *シード層 ,  プラズマ増強CVD

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： プラズマ ,  増強 ,  ALD ,  最適化 ,  プリカーサ ,  銅 ,  シード層 ,  厚み ,  スケーリング