ANDRIANOV A. V. について
A.F. Ioffe Physical Technical Inst., St Petersburg 194021, RUS について
GUPTA J. P. について
Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA について
KOLODZEY J. について
Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA について
SANKIN V. I. について
A.F. Ioffe Physical Technical Inst., St Petersburg 194021, RUS について
ZAKHAR’IN A. O. について
A.F. Ioffe Physical Technical Inst., St Petersburg 194021, RUS について
VASILYEV Yu. B. について
A.F. Ioffe Physical Technical Inst., St Petersburg 194021, RUS について
Applied Physics Letters について
炭化ケイ素 について
半導体材料 について
PN接合 について
電磁波 について
電磁波放射 について
注入 について
エレクトロルミネセンス について
発光スペクトル について
テラヘルツ波 について
4H-SiC について
電流注入 について
半導体のルミネセンス について
4H-SiC について
p-n接合 について
電流注入 について
誘起 について
テラヘルツ波放射 について