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J-GLOBAL ID：201302263800328697   整理番号：13A1443789

SEL-有感領域写像および金属線からの反射と回折がレーザSEE試験に及ぼす影響

SEL-Sensitive Area Mapping and the Effects of Reflection and Diffraction From Metal Lines on Laser SEE Testing

著者 (14件)： DODDS N. A. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  DODDS N. A. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  HOOTEN N. C. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  REED R. A. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  SCHRIMPF R. D. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  WARNER J. H. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  ROCHE N. J.-H. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  MCMORROW D. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  BUCHNER S. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  JORDAN S. (Jazz Semiconductor, CA, USA) ,  PELLISH J. A. (NASA, MD, USA) ,  BENNETT W. G. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  GASPARD N. J. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  KING M. P. (Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 60  号： 4,Pt.1  ページ： 2550-2558  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シングルイベントラッチアップ(SEL)は宇宙放射線環境におけるCMOS回路の信頼性に関する重要な問題である。SEL有感体積の位置と横方向の広がりは殆ど知られていない。本研究では,SRAMなどの高密度集積回路を模擬したトポロジーを有する試験構造のSEL敏感領域を調べた。敏感領域は前面入射単一光子吸収レーザと背面入射二光子吸収レーザを用いて調べた。金属線からSi方向へ散乱したレーザビームはシングルイベント効果(SEE)に寄与し得ることを示唆した。反射及び回折レーザビームがSEE応答に寄与する可能性のあるレーザビームエネルギーとメタライゼーションの構成について述べた。

シソーラス用語： *レーザビーム ,  金属線 ,  光反射 ,  光回折 ,  *SEU【シングルイベント】 ,  二光子吸収 ,  光吸収 ,  ソフトエラー ,  *半導体集積回路 ,  照射損傷 ,  レーザ損傷
準シソーラス用語： *シングルイベントラッチアップ ,  単一光子吸収 ,  SEE【事象】 ,  *SEL【シングルイベント】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： SEL ,  写像 ,  金属線 ,  回折 ,  レーザ ,  SEE ,  試験