CMPプロセスにおける材料除去均一性への,リテイニングリングと研磨パッドとの間の接触角度の効果

PARK Yeongbong; LEE Hyunseop; LEE Youngkyun; PARK Sunjoon; JEONG Haedo

文献

J-GLOBAL ID：201302263892691768 整理番号：13A1432214

CMPプロセスにおける材料除去均一性への,リテイニングリングと研磨パッドとの間の接触角度の効果

Effect of contact angle between retaining ring and polishing pad on material removal uniformity in CMP process

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資料名：
巻： 14 号： 9 ページ： 1513-1518 発行年： 2013年09月
JST資料番号： A1070A ISSN： 2234-7593 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：韓国 (KOR) 言語：英語 (EN)

本文は,化学機械研磨(CMP)におけるリテイニングリングと研磨パッドとの間の接触角度の,ウエファ端部をめぐる材料除去率(MMR)のプロフィルと,ウエファ内不均一性(WIWNU)への効果を示した。本研究は,研磨パッド,ウエファ,リテイニングリングの間の機械的相互作用が,CMPプロセスからの平坦化達成能力に影響することを示す。特に,本研究の目的は,CMPプロセスへのリテイニングリングとパッドとの間の接触状態の効果を理解することである。ウエファ端部近くのMRRの機械的側面を検証するために,異なる接触角度をもつリテイニングリングを用意した。有限要素解析(FEA)は,リテイニングリングと研磨パッドとの間の接触角度の,ウエファ端部周りの応力分布への影響を検証した。解析結果を,200mmブランケット酸化物ウエファによるCMP実験実行により確かめた。予想通り,FEA結果は,端部領域周りのMRRプロフィルと良く一致した。シミュレーションと実験を通して,接触角度はより平らな端部プロフィルを得るために重要な要因であり,ウエファ端部周りの材料除去プロフィルは接触角度0度で最適であると結論づけた。特に,平坦リテイニングリングを使用した時,WIWNUは4%以下であった。本研究の結果は,CMP装置への特別の設計変更をすることなしに,リテイニングリングに完全な平坦さを確保することで,チップ生産の収率を改善可能とする。Copyright 2013 Korean Society for Precision Engineering and Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

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固体デバイス製造技術一般

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