文献

J-GLOBAL ID：201302263922168828   整理番号：13A0853279

GaAs(631)Aおよび(631)B方位基板上に作製したコルゲート状表面

Corrugated surfaces grown on GaAs (631)A- and (631)B- oriented substrates.

著者 (4件)： VAZQUEZ-CORTES D. (Ehime Univ., JPN) ,  MENDEZ-GARCIA V.H. (SLP, MEX) ,  LOPEZ-LOPEZ M. (CI0VESTAV-IP0, MEX) ,  SHIMOMURA S. (Ehime Univ., JPN)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.29P-G20-12  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *形態 ,  化合物半導体 ,  エピタクシー ,  *表面構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  量子井戸
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  方位 ,  作製 ,  コル ,  ゲート