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J-GLOBAL ID：201302264192486221   整理番号：13A0028617

ソフト逆方向回復ビルトインダイオードによるバンド間トンネル注入絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

Band-to-Band Tunneling Injection Insulated-Gate Bipolar Transistor with a Soft Reverse-Recovery Built-In Diode

著者 (6件)： JIANG Huaping (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  WEI Jin (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  ZHANG Bo (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  CHEN Wanjun (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  QIAO Ming (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  LI Zhaoji (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 12  ページ： 1684-1686  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンド間トンネル効果を利用したソフト回復ビルトインダイオードによるバンド間トンネル注入絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(TIGT)を提案し,実現した。従来の逆方向伝導(RC)IGTではnコレクタはビルトインダイオードのカソードとして動作するように周期的に配置するが,本構造ではnトンネル(Nd)層をnバッファとpコレクタ(Na)間にサンドイッチし,その両濃度NdとNaを10¹⁹cm^-3程度に調節する。逆回復中はドリフト領域からコレクタへ抽出した電子はドリフト領域へ正孔注入を誘起し,逆方向回復di/dt即ち電圧オーバーシュートは低減する。TIGTは従来のRC-IGTに比較して性能は顕著に改善することが分かった。

シソーラス用語： *トンネル効果 ,  輸送現象 ,  電子遷移 ,  *IGBT ,  キャリア注入
準シソーラス用語： *バンド間遷移 ,  *逆伝導

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ソフト ,  逆方向 ,  回復 ,  バンド ,  トンネル ,  注入 ,  絶縁ゲートバイポーラトランジスタ