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J-GLOBAL ID：201302264201905577   整理番号：12A1812111

超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察

In-situ Observation of Graphene Growth on Ultra Flat Metal Substrates

著者 (8件)： 小田原玄樹 (早稲田大学先進理工学部応用物理学科) ,  大島忠平 (早稲田大学先進理工学部応用物理学科) ,  日比野浩樹 (NTT物性科学基礎研究所) ,  本間芳和 (東京理科大学理学部物理学科) ,  大谷茂樹 (物質材料研究機構) ,  鈴木雅彦 (大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター) ,  安江常夫 (大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター) ,  越川孝範 (大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 33  号： 10  ページ： 557-562 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低エネルギー電子顕微鏡による表面偏析現象を通して単結晶のNi(111)および多結晶Ni基板上のグラフェンシートのその場成長を観察した。それらの基板表面は平坦であり,そしてカーペット状に単一ドメイングラフェンシートの成長を促進していた。一度極く少数の核生成部位が形成されると,単一ドメインのグラフェンシートが,基材表面上のステップ上だけでなく,そのドメイン境界上にまでも成長し続けていた。本検討は,多結晶金属表面上にまでも膨張性の単一ドメイングラフェンシートを成長させる可能性を示していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *ニッケル ,  *電子顕微鏡観察 ,  *表面偏析 ,  平坦性 ,  単結晶 ,  基板 ,  多結晶 ,  構造 ,  結晶成長 ,  逆位相境界 ,  膨張 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *グラフェンシート ,  ドメイン境界 ,  ドメイン構造 ,  金属基板 ,  *低エネルギー電子顕微鏡

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  金属の結晶構造  (BK06000V)

引用文献 (23件)：

• NOVOSELOV, K. S. Science. 2004, 306, 666
• GEIM, A. K. Nat. Mater. 2007, 6, 183
• KIM, K. S. Nature. 2009, 457, 706
• BAE, S. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 574
• MEYER, J. C. Nature (London). 2007, 446, 60

タイトルに関連する用語 (5件)： 平坦 ,  金属表面 ,  グラフェン ,  成長 ,  その場観察