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J-GLOBAL ID：201302264293900975   整理番号：13A0148559

Si(111)上でのケイ化ハフニウムの形態及び成長

Morphology and growth of hafnium silicide on Si(111)

著者 (3件)： BEIMBORN A. (Experimentelle Physik I, Technische Universitaet Dortmund, Otto-Hahn-Str. 4, 44221 Dortmund, DEU) ,  HENSCHEL E. (Experimentelle Physik I, Technische Universitaet Dortmund, Otto-Hahn-Str. 4, 44221 Dortmund, DEU) ,  WESTPHAL C. (Experimentelle Physik I, Technische Universitaet Dortmund, Otto-Hahn-Str. 4, 44221 Dortmund, DEU)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 265  ページ： 1-3  発行年： 2013年01月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)上でのケイ化ハフニウムの構造及び成長を,走査型トンネル顕微鏡(STM)により研究した。ハフニウムを,UHV下において,清浄Si(111)表面に電子ビーム堆積した。アニーリングにより,伸長ナノサイズ構造の成長を観測した。これらのケイ化ハフニウム島は,(111)表面の対称性に整合した三つの主軸に沿って成長した。この均一分布に較べて,島の長さ,幅,及び高さの成長は,異なる配向縞に対して異なる温度において始まった。島体積の増大とともに,島の数密度は減少した。ステップ端は,島分布に明らかな影響を与えなかった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,  *ケイ化物 ,  *薄膜成長 ,  *電子ビーム蒸着 ,  *焼なまし ,  *島状構造 ,  周期構造 ,  数密度 ,  *ハフニウム ,  誘電体薄膜 ,  表面反応
準シソーラス用語： *ケイ化ハフニウム ,  高k誘電体 ,  縞状構造

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ケイ化 ,  ハフニウム ,  形態 ,  成長