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J-GLOBAL ID：201302264430840080   整理番号：13A1187920

Agナノ粒子埋め込みBaTiO₃薄膜の抵抗スイッチング効果の増強

Enhanced resistive switching effect in Ag nanoparticle embedded BaTiO₃ thin films

著者 (6件)： AU K. (Dep. of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic Univ. (Shenzhen Res. Institute), Hong Kong) ,  GAO X. S. (Dep. of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic Univ. (Shenzhen Res. Institute), Hong Kong) ,  WANG Juan (Dep. of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic Univ. (Shenzhen Res. Institute), Hong Kong) ,  BAO Z. Y. (Dep. of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic Univ. (Shenzhen Res. Institute), Hong Kong) ,  LIU J. M. (Inst. for Advanced Materials, South China Normal Univ., Guangzhou, CHN) ,  DAI J. Y. (Dep. of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic Univ. (Shenzhen Res. Institute), Hong Kong)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 114  号： 2  ページ： 027019-027019-4  発行年： 2013年07月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ナノ粒子 ,  *チタン酸バリウム ,  *スイッチング ,  不揮発性メモリ ,  銀 ,  *埋込み【挿入】 ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  誘電体薄膜 ,  強誘電体 ,  ナノ構造 ,  複合膜 ,  比率
準シソーラス用語： *銀ナノ粒子 ,  *抵抗スイッチング ,  ナノ複合膜 ,  オンオフ比

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Agナノ粒子 ,  埋め込み ,  BaTiO3 ,  薄膜 ,  スイッチング効果 ,  増強