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J-GLOBAL ID：201302264595104981   整理番号：13A1785300

塩化物溶液中のチオ硫酸塩で強化したAlloy800の不動態劣化に関する機構研究

A mechanistic study on thiosulfate-enhanced passivity degradation of Alloy 800 in chloride solutions

著者 (13件)： XIA Dahai (Dep. of Chemical and Materials Engineering, Univ. of Alberta, Edmonton, Alberta, Canada T6G 2V4) ,  XIA Dahai (School of Materials Sci. and Engineering, Tianjin Univ., Tianjin 300072, CHN) ,  XIA Dahai (Tianjin Key Lab. of Composite and Functional Materials, Tianjin Univ., Tianjin 300072, CHN) ,  SONG Shizhe (School of Materials Sci. and Engineering, Tianjin Univ., Tianjin 300072, CHN) ,  SONG Shizhe (Tianjin Key Lab. of Composite and Functional Materials, Tianjin Univ., Tianjin 300072, CHN) ,  ZHU Renkang (Dep. of Chemical and Materials Engineering, Univ. of Alberta, Edmonton, Alberta, Canada T6G 2V4) ,  BEHNAMIAN Yashar (Dep. of Chemical and Materials Engineering, Univ. of Alberta, Edmonton, Alberta, Canada T6G 2V4) ,  SHEN Chen (Dep. of Chemical and Materials Engineering, Univ. of Alberta, Edmonton, Alberta, Canada T6G 2V4) ,  WANG Jihui (School of Materials Sci. and Engineering, Tianjin Univ., Tianjin 300072, CHN) ,  WANG Jihui (Tianjin Key Lab. of Composite and Functional Materials, Tianjin Univ., Tianjin 300072, CHN) ,  LUO Jingli (Dep. of Chemical and Materials Engineering, Univ. of Alberta, Edmonton, Alberta, Canada T6G 2V4) ,  LU Yucheng (Atomic Energy of Canada Ltd., Chalk River Laboratories, Chalk River, Ontario, Canada K0J 1J0) ,  KLIMAS Stan (Atomic Energy of Canada Ltd., Chalk River Laboratories, Chalk River, Ontario, Canada K0J 1J0)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 111  ページ： 510-525  発行年： 2013年11月30日 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文で,Alloy800の不動態劣化に対し,チオ硫酸塩で強化した塩化物イオンの影響について報告し,半導体特性,および不動態皮膜の分解に影響を与えるのか検討した。実験結果は,10^-6から0.075mol/Lの濃度のチオ硫酸塩は,0.6mol/Lの塩化物イオン含有溶液で,Alloy 800の分解電位を100~400mV低下させた。この劣化は,電気化学インピーダンス分光法(EIS)とマイクロ-ナノスケールの電気化学ノイズ(EN)データから求めた分極抵抗とノイズ抵抗によってさらに証明された。腐食機構を調査するために用いたMott-Schottky分析の結果は,不動態皮膜が,チオ硫酸塩単独溶液でp型半導性,塩化物単独溶液でn型半導性を示し,塩化物溶液へのチオ硫酸塩を添加は,孔食電位に近い電位で不動態皮膜の酸素空孔濃度が増加した。チオ硫酸塩は,無塩化物溶液中の十分に不動態化した表面に対しては容易に還元しなかったが,酸素空孔の増加を招く,不動態皮膜が分解-還元硫黄が再不動態化の治癒過程を遅らせる時に,活性部位で塩化物溶液中の硫黄物を迅速に還元した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インコロイ ,  *不動態皮膜 ,  *チオ硫酸塩 ,  *塩化物 ,  隙間腐食 ,  分解反応 ,  分解電圧 ,  電気化学インピーダンス ,  インピーダンススペクトル ,  雑音 ,  電気化学的挙動 ,  分極抵抗 ,  雑音抵抗 ,  *腐食機構 ,  図化 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  腐食電位 ,  孔食 ,  空格子点 ,  活性部位 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  電流電圧特性 ,  電子顕微鏡観察 ,  二次イオン質量分析
準シソーラス用語： *Alloy800 ,  Mott-Schottkyプロット ,  ノイズ抵抗 ,  孔食電位 ,  酸素空孔 ,  走査電子顕微鏡観察 ,  電界放出走査電子顕微鏡 ,  電気化学ノイズ

分類 (2件)： 腐食  (WB03030B) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 塩化物 ,  溶液 ,  チオ硫酸塩 ,  強化 ,  Alloy800 ,  不動態 ,  研究