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J-GLOBAL ID：201302264829364796   整理番号：13A1220466

NdドープSiO_x膜中のNd³⁺イオンの二つの増感過程の証拠

Evidence of two sensitization processes of Nd³⁺ ions in Nd-doped SiO_x films

著者 (4件)： LIANG C.-h. (CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen, 6 Bd Mal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  CARDIN J. (CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen, 6 Bd Mal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  LABBE C. (CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen, 6 Bd Mal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA) ,  GOURBILLEAU F. (CIMAP, UMR CNRS/CEA/ENSICAEN/UCBN, Ensicaen, 6 Bd Mal Juin, 14050 Caen Cedex 4, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 114  号： 3  ページ： 033103-033103-8  発行年： 2013年07月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ネオジム ,  *ドーピング ,  *酸化ケイ素 ,  熱処理 ,  マグネトロンスパッタリング ,  RTA【熱処理】 ,  *光ルミネセンス ,  焼なまし ,  欠陥準位 ,  励起子 ,  ナノクラスタ ,  比率 ,  *増感
準シソーラス用語： 減衰率

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (6件)： Nd ,  ドープ ,  イオン ,  増感 ,  過程 ,  証拠