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J-GLOBAL ID：201302264899980184   整理番号：13A1589495

Ti/WN/WSiNバリアメタルを有するメモリデバイスにおけるタングステン二重ポリ-メタルゲートの最適化

Optimization of Tungsten Dual Poly-Metal Gates in Memory Devices with Ti/WN/WSiN Barrier Metal

著者 (5件)： SUNG Min-Gyu (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  PARK Sung-Ki (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  ALI Ahmed I. (Univ. Ulsan, Ulsan, KOR) ,  ALI Ahmed I. (Helwan Univ., Cairo, EGY) ,  KIM Yong Soo (Univ. Ulsan, Ulsan, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 13  号： 9  ページ： 6455-6458  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,Ti/WNバリアメタルに新しい金属アモルファス層,WSiN,を導入することによってゲートシート抵抗R_sと垂直接触抵抗R_cの両方を低減する新しいバリアメタルスタックを提案した。タングステン二重ポリゲートにおける拡散バリアメタルのためのプロセス最適化を果たした。プロセス後のアニールによってWSiNはSiNと混合した結晶化WSi_xに変化し,高速要求に向けてR_sとR_cが低減された。Ti/WN/WSiNバリアは以前に報告されたTi/WN/TiN/WSi_x/WNとほぼ同じ電気的特性を有しており,DRAMにおける二重ポリメタルゲートスタックの最適化を可能にする。

シソーラス用語： *金属薄膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  *シート抵抗 ,  *接触抵抗 ,  *チタン ,  *拡散障壁 ,  *DRAM ,  不揮発性メモリ ,  *ポリシリコン ,  *タングステン合金 ,  窒素含有合金 ,  ケイ素含有合金 ,  多層膜
準シソーラス用語： ゲートスタック

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ti ,  バリアメタル ,  メモリデバイス ,  タングステン ,  メタルゲート ,  最適化