文献

J-GLOBAL ID：201302265056287319   整理番号：13A1293893

イオン化不純物散乱優位における多結晶半導体の伝導率への粒界ポテンシャル障壁高さとその変動の影響

Effects of grain-boundary potential barrier height and its fluctuation on conductivity of polycrystalline semiconductors in the ionized-impurity-scattering dominated case

著者 (1件)： KAJIKAWA Y. (Dep. of Electric and Control Systems Engineering, Interdisciplinary Fac. of Sci. and Engineering, Shimane Univ. ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 114  号： 4  ページ： 043719-043719-8  発行年： 2013年07月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *電気伝導率 ,  *化合物半導体 ,  *多結晶 ,  *結晶粒界 ,  *ポテンシャル障壁 ,  高さ ,  *キャリア散乱 ,  不純物 ,  非弾性散乱 ,  非線形性 ,  Arrheniusの式 ,  活性化エネルギー ,  熱電子放出 ,  硫化鉄 ,  酸化タングステン ,  酸化スズ ,  酸化亜鉛
準シソーラス用語： Arrheniusプロット ,  イオン化散乱 ,  *障壁高さ ,  *不純物散乱

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン化 ,  不純物散乱 ,  結晶半導体 ,  伝導率 ,  粒界 ,  ポテンシャル障壁