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J-GLOBAL ID：201302265058552664   整理番号：13A1283078

GaAs(001)上に成長したInAs湿潤層表面の新たな挙動へのab initioベースのアプローチ

Ab initio-based approach to novel behavior of InAs wetting layer surface grown on GaAs(001)

著者 (4件)： ITO Tomonori (Dep. of Physics Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN) ,  HIRAI Kentaro (Dep. of Physics Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN) ,  AKIYAMA Toru (Dep. of Physics Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN) ,  NAKAMURA Kohji (Dep. of Physics Engineering, Mie Univ., Tsu 514-8507, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 378  ページ： 13-16  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(001)-C(4×4)α上に成長したInAs(001)湿潤層(WL)表面の新規挙動を,系統的に成長条件下のab initioベースのアプローチとモンテカルロ(MC)シミュレーションにより検討する。ab initioベースのアプローチでは,ガス相のIn原子とAs₄分子の化学ポテンシャルを温度Tとビーム等価圧力pの関数として含む。Inの計算された吸着-脱着境界曲線から,In吸着は(2×4)α2,(1×3)と(2×3)WLs上では起こらないが,完全にリラックスした(FR)平衡表面上で許容されることを明らかにする。これらの結果からIn吸着は,初期GaAs(001)上および最終のInAs(001)FR表面上で,InAs成長を促進し,一方新規成長過程はInAs(001)WL面上で考慮すべきである事を示唆する。MCシミュレーションの結果から,In吸着原子は(1×3)/(2×3)上の格子サイトに留まらないで,成長条件下で表面から素早く脱着するが,一方In吸着原子は,(2×4)α2上では吸着し,一定期間マイグレーションすることが示唆される。これらの結果に基づいて,InAs(001)WL表面の新規挙動は,GaAs(001)上の(2×3)WL表面からのAs脱着と共にIn吸着中に見出される。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  *層 ,  薄膜 ,  *ab initio法 ,  *インジウム ,  *吸着 ,  *MBE成長 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： *湿潤層

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  成長 ,  InAs ,  湿潤層 ,  挙動