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J-GLOBAL ID：201302265520999440   整理番号：13A0400408

熱処理Nリッチa-SiN_x:H薄膜の欠陥フォトルミネセンスの発生

Evolution of defect photoluminescence in annealed N-rich a-SiN_x:H films

著者 (5件)： RUI Huang (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN) ,  JIE Song (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN) ,  GUO Yanqing (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN) ,  SONG Chao (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN) ,  WANG Xiang (Hanshan Normal Univ., Chaozhou, CHN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 531/532  ページ： 234-237  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiNベースの発光素子はキャリア注入により発光強度が大きくなるが,効率が良くないため実用化には至っていない。原因としてSiNの複雑な構造や構造欠陥の影響が大きいことが考えられるため,本研究では,400°Cから800°Cの熱処理を系統的に施したNリッチa-SiN_x:H薄膜についてフォトルミネセンス(PL)を調査した。400°Cから600°Cの熱処理では,熱処理前に比べPL強度が大きく減少したが,700°C以上では若干の減少にとどまった。FTIRの測定において,熱処理材はSi-H,N-H結合の解離が見られた。このH濃度の減少が,非放射再結合軸の増加を招きPL発生効率の悪化につながると考えられる。

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  基板 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  石英 ,  *グロー放電 ,  シラン ,  アンモニア ,  水素 ,  焼なまし ,  *光ルミネセンス ,  *欠陥 ,  薄膜 ,  非晶質 ,  *熱処理 ,  放射強度 ,  格子欠陥 ,  構造 ,  固体素子
準シソーラス用語： Siウエハ ,  発光強度 ,  *非晶質薄膜 ,  構造欠陥 ,  発光素子

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱処理 ,  薄膜 ,  欠陥 ,  フォトルミネセンス