文献

J-GLOBAL ID：201302265634529754   整理番号：13A0579054

電力半導体マイクロエレクトロニックスイッチの安全運転領域を制限する結合機構の理論とシミュレーション

Theory and simulation of combined mechanisms limiting the safe operating area of power semiconductor microelectronic switches

著者 (5件)： GORBATYUK A. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., ul. Politekhnicheskaya 26, 194021, St.Petersburg, RUS) ,  GORBATYUK A. V. (Saint Petersburg State Polytechnical Univ., ul. Polytekhnicheskaya 29, 195251, St. Petersburg, RUS) ,  GUSIN D. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., ul. Politekhnicheskaya 26, 194021, St.Petersburg, RUS) ,  GUSIN D. V. (Saint Petersburg State Polytechnical Univ., ul. Polytekhnicheskaya 29, 195251, St. Petersburg, RUS) ,  IVANOV B. V. (Saint Petersburg State Electrotechnical Univ. “LETI”, ul. Prof. Popova 5, 197376, St.Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 47  号： 3  ページ： 396-405  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロゲートを備えた双極スイッチのターンオフ過程の一般化解析モデルを,その安全運転領域を制限する実際の構造の技術的および設計上の不備の役割を考慮して構築した。例として,電圧インバータ回路中で動作する外部電場制御サイリスタマイクロチップを用いて,「ターンオフ電流」に関する安全運転領域の境界を定量的に求めた。低電圧領域における理想的ではない構造についてのこの境界は,カソードエミッタの再生アンロッキング「トリガリング」効果で制御される。高電圧領域ではこの境界を制御するものは「乱れたセル」中の電流局在化の開始であるが,そこには動的絶縁破壊も含まれる。開発したモデルの可能な適用として,最大スイッチング電流を増すための素子構造最適化の方向の指示について議論する。モデル適用の結果の適切さは数値シミュレーションで実証した。Copyright 2013 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *スイッチ ,  運転管理 ,  *インバータ ,  *サイリスタ ,  チップ ,  *エミッタ【半導体】 ,  改変 ,  絶縁破壊 ,  電流 ,  ターンオフ
準シソーラス用語： スイッチング電流 ,  マイクロチップ ,  運転領域 ,  局在化 ,  *電力半導体スイッチ

分類 (2件)： 開閉装置  (NB09030I) ,  サイリスタ  (NC03060C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 制限 ,  理論 ,  シミュレーション