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J-GLOBAL ID：201302265673492841   整理番号：13A0498420

半導体ヘテロ接合のインピーダンス分光法に及ぼす界面状態連続スペクトルの影響

The effect of interface state continuum on the impedance spectroscopy of semiconductor heterojunctions

著者 (2件)： BRUS V V (Frantsevich Inst. for Problems of Materials Sci., NAS of Ukraine, Chernivtsi, UKR) ,  BRUS V V (Chernivtsi National Univ., Chernivtsi, UKR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 28  号： 2  ページ： 025013,1-6  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *スペクトロスコピー ,  インピーダンススペクトル ,  *表面準位 ,  インピーダンス ,  モデル ,  連続スペクトル
準シソーラス用語： *インピーダンス分光法 ,  *界面状態 ,  *半導体ヘテロ接合 ,  複素インピーダンス ,  等価回路モデル

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体ヘテロ接合 ,  インピーダンス分光法 ,  界面状態 ,  連続スペクトル