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J-GLOBAL ID：201302265965377911   整理番号：13A0249893

急速熱プロセシング中のSi(100),Si(111)およびSOI基板上のケイ化マグネシウム薄膜の成長

Growth of magnesium silicide thin films on Si(100), Si(111) and SOI substrates during rapid thermal processing

著者 (3件)： KOGUT Iu. (Inst. Materiaux Microelectronique et Nanosciences de Provence, IM2NP, UMR-CNRS 6242, Aix Marseille Univ., Case 142 ...) ,  KOGUT Iu. (Scientific-Research Center “Crystal”, Lviv Polytechnic National Univ., 1 Kotlyarevski Str., Lviv 79013, UKR) ,  RECORD M.-c. (Inst. Materiaux Microelectronique et Nanosciences de Provence, IM2NP, UMR-CNRS 6242, Aix Marseille Univ., Case 142 ...)
資料名： Intermetallics  (Intermetallics)
巻： 32  ページ： 184-193  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： W0672A  ISSN： 0966-9795  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶体ケイ化マグネシウムナノスケール薄膜を短時間種々の加熱速度における高温処理によってSi(100),Si(111)および絶縁体上のケイ素(SOI)上に成長させた。マグネトロン高周波数スパッターしたMg膜のモルフォロジーはスパッタリング条件と基板方位に依存し,優先的にMg(002)方位の多結晶体膜の成長に至る。アニーリング条件に依存してMg₂Si生成の固相反応は拡散あるいは界面速度論律速のいずれかである。低加熱速度において,Mg₂Siは比較的に低い温度において成長し始め拡散速度論によって律速される,一方高い加熱速度において反応はどちらかといえば界面あるいは混合速度論律速プロセスにおいてであると示す300°Cほども高い温度において始まる。Mg₂Siの成長は堆積したMg膜に及ぼす基板効果においてばかりでなくMg堆積とアニーリング条件に依存する。観察した結果に対する可能な説明を議論する。それらは成長したケイ化マグネシウム薄膜の示差走査熱量法(DSC),X線回折(XRD),走査型電子顕微鏡法(SEM)およびエネルギー分散X線分光法(EDS)研究に基づく。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マグネシウム化合物 ,  ケイ化物 ,  *薄膜 ,  熱処理 ,  *マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： SOI基板

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： プロセシング ,  Si ,  SOI基板 ,  ケイ化マグネシウム ,  薄膜 ,  成長