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J-GLOBAL ID：201302266110174122   整理番号：13A1300080

エピタキシャル薄膜PZTベース質量センサの膜厚および組成依存性

Film-thickness and composition dependence of epitaxial thin-film PZT-based mass-sensors

著者 (7件)： NGUYEN Minh Duc (International Training Inst. for Materials Sci. (ITIMS), Hanoi Univ. of Sci. and Technol., No. 1 Dai Co Viet Road ...) ,  NGUYEN Minh Duc (Inorganic Materials Sci. (IMS), MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P.O. Box 217, 7500AE Enschede, NLD) ,  NGUYEN Minh Duc (SolMateS B.V., Drienerlolaan 5, Building 6, 7522NB Enschede, NLD) ,  DEKKERS Matthijn (Inorganic Materials Sci. (IMS), MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P.O. Box 217, 7500AE Enschede, NLD) ,  DEKKERS Matthijn (SolMateS B.V., Drienerlolaan 5, Building 6, 7522NB Enschede, NLD) ,  VU Hung Ngoc (International Training Inst. for Materials Sci. (ITIMS), Hanoi Univ. of Sci. and Technol., No. 1 Dai Co Viet Road ...) ,  RIJNDERS Guus (Inorganic Materials Sci. (IMS), MESA+ Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P.O. Box 217, 7500AE Enschede, NLD)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 199  ページ： 98-105  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横圧電効果係数e_31,fおよび質量感度を膜厚100~2000nmのエピタキシャルPZT薄膜に基づいた圧電カンチレバーについて測定した。e_31,fおよび質量感度の最高値は,膜圧500~750nmで観測され,一方観測された残留分極P_rと縦方向圧電係数d_33,f値は,膜圧750~1000nmで飽和した。最適膜圧を使用して高性能を得るために,20/80~80/20の多様なZr/Ti比をもつPZT薄膜を調べた。この実験結果は,強誘電特性は,20/80のZr/Ti比で最高残留分極P_rに達し,一方,縦方向圧電係数d_33,fは,Zr含有量の増加とともに増大し,52/48のZr/Ti比で最大に達することを示した。この結果は,質量感度と縦方向圧電係数e_31,fに対する最適組成は,それぞれ45/と40/60のZr/Ti比を持つ状態図の正方晶部へ移行することを示した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *センサ ,  依存性 ,  効果 ,  片持梁
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】 ,  *エピタキシャル膜 ,  圧電カンチレバー ,  圧電効果 ,  *質量センサ ,  組成依存性 ,  膜厚依存性

分類 (2件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  PZT ,  質量センサ ,  膜厚 ,  組成依存性