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J-GLOBAL ID：201302266252871092   整理番号：13A0921788

ゲート誘電体における正電荷のエネルギー分布:プロービング技術と種々の欠陥の影響

Energy Distribution of Positive Charges in Gate Dielectric: Probing Technique and Impacts of Different Defects

著者 (12件)： HATTA Sharifah Wan Muhamad (John Moores Univ., Liverpool, GBR) ,  HATTA Sharifah Wan Muhamad (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  JI Zhigang (John Moores Univ., Liverpool, GBR) ,  ZHANG Jian Fu (John Moores Univ., Liverpool, GBR) ,  DUAN Meng (John Moores Univ., Liverpool, GBR) ,  ZHANG Wei Dong (John Moores Univ., Liverpool, GBR) ,  SOIN Norhayati (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  KACZER Ben (IMEC, Leuven, BEL) ,  DE GENDT Stefan (IMEC, Leuven, BEL) ,  DE GENDT Stefan (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN Guido (IMEC, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN Guido (KU Leuven, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 5  ページ： 1745-1753  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート誘電体中の正電荷(PC)は閾値電圧をシフトさせ時間依存の不安定性の原因になる。回路に対する影響を調べるにはシリコンのバンドギャップ内外に渡る広いエネルギー範囲でその分布を知る必要がある。高速パルス技術を開発し,PCの誘電体中におけるエネルギー分布を抽出した。その結果,PCはエネルギーレベルで大きく異なることがわかった。異なるエネルギー領域にあるPCは明らかに異なる欠陥から発生している。価電子帯エッジ下のPCはストレス時間と温度に敏感ではない初期からのホールトラップである。価電子帯エッジより上のPCは生成された欠陥である。バンドギャップ内のPCはE_v+0.8eVにピークを持ち長いストレス時間ヤ高い温度で飽和する。伝導帯エッジより上のPCは飽和せず,その発生は明らかに熱で加速される。

シソーラス用語： 欠陥 ,  *エネルギー分布 ,  不安定性 ,  寿命 ,  熱安定性 ,  信頼性 ,  酸化膜 ,  電荷 ,  バンドギャップ ,  バンド構造 ,  MOSFET ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： NBTI ,  *ゲート誘電体 ,  *正電荷

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート誘電体 ,  正電荷 ,  エネルギー分布 ,  欠陥