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J-GLOBAL ID：201302266657563620   整理番号：13A1944148

a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池のための高透過率及び高仕事関数のRFマグネトロンスパッタリング作製酸化インジウム錫薄膜

RF magnetron sputtered indium tin oxide films with high transmittance and work function for a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells

著者 (9件)： HUSSAIN Shahzada Qamar (Dep. of Energy Sci., Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  HUSSAIN Shahzada Qamar (Dep. of Physics, COMSATS Inst. of Information and Technol., Lahore 54000, PAK) ,  OH Woong-kyo (Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  AHN Shihyun (Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  LE Anh Huy Tuan (Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  KIM Sunbo (Dep. of Energy Sci., Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  LEE Youngseok (Dep. of Energy Sci., Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  YI Junsin (Dep. of Energy Sci., Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  YI Junsin (Coll. of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 101  ページ： 18-21  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低抵抗,高透過率,高仕事関数の酸化インジウム錫(ITO)薄膜を異なる酸素(O₂)流速でガラス基板上にRFマグネトロンスパッタリング堆積した。スパッタリングプロセス中での少量のO₂添加はITO薄膜のHall移動度を増大し,キャリア濃度を減少した。相対的に低い表面エネルギーを有する(222)面の成長を通して,このITO薄膜の仕事関数は4.31eVから4.81eVに増大した。この高度に透明なITO薄膜を真性薄層ヘテロ接合(HIT)太陽電池の前面反射防止層として採用し,0.1sccmのO₂流速に対して,V_oc=665mV,J_sc=35.1mA/cm²,FF=73.2%,η=17.1%の最良光-電圧パラメータを得た。このITO薄膜の高い仕事関数はHIT太陽電池における障壁高さ修飾に対し重要な役割を果たしている。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  酸素 ,  *Hall移動度 ,  *キャリア密度 ,  仕事関数 ,  *透過率 ,  *太陽電池 ,  *反射防止膜 ,  透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  光学定数
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング ,  ヘテロ接合太陽電池

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  高透過率 ,  仕事関数 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  酸化インジウム錫 ,  薄膜