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J-GLOBAL ID：201302266758630050   整理番号：13A1824675

低周波雑音で評価した1nmEOTメタルゲートラストCMOSトランジスタの酸化膜トラップ密度とプロファイルに関して

On the Oxide Trap Density and Profiles of 1-nm EOT Metal-Gate Last CMOS Transistors Assessed by Low-Frequency Noise

著者 (6件)： SIMOEN Eddy (Interuniversity Microelectronics Centre, Leuven, BEL) ,  VELOSO Anabela (Interuniversity Microelectronics Centre, Leuven, BEL) ,  HIGUCHI Yuichi (Panasonic, Leuven, BEL) ,  HORIGUCHI Naoto (Interuniversity Microelectronics Centre, Leuven, BEL) ,  CLAEYS Cor (Interuniversity Microelectronics Centre, Leuven, BEL) ,  CLAEYS Cor (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 11  ページ： 3849-3855  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂/HfO₂二重層のEOTが~1nmの,置換メタルゲート高k/メタルゲートMOSFETの低周波雑音挙動を調べた。平均1/f雑音パワースペクトル密度(PSD)とウエハ内のサンプル間ばらつきは主に中間層(IL)処理で決定され,HfO₂厚さや他のプロセスパラメータにはそれほど影響されていない。品質の良い蒸気酸化SiO₂は薄い化学酸化膜と比較してトラップ密度が低く,いずれの場合も酸化膜トラップ密度はSi/SiO₂からの深さで減衰していく。EOTを更に減らすには良質なILでなければならない。ゲート酸化膜中の境界トラップ分布についての知見を得るには1周波数での雑音だけでなく周波数指数も解析すべきである。1/f^γ雑音スペクトルからトラップ密度プロファイルを抽出するには,トンネリング実効質量と障壁高さの正確な値を要することも示した。

シソーラス用語： 1/f雑音 ,  誘電体 ,  *酸化膜 ,  *低周波雑音 ,  トンネル効果 ,  密度 ,  膜厚 ,  半導体プロセス ,  パワースペクトル密度 ,  *MOSFET ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： CMOSFET ,  EOT ,  ゲート誘電体 ,  *トラップ密度 ,  トンネリング ,  フリッカ雑音 ,  高k誘電体

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低周波雑音 ,  評価 ,  メタルゲート ,  ラスト ,  CMOSトランジスタ ,  酸化膜 ,  トラップ密度 ,  プロファイル