文献

J-GLOBAL ID：201302266826876624   整理番号：13A0474887

有機金属堆積の過程における競合反応:配位子交換と基板表面との直接反応

Competing reactions during metalorganic deposition: Ligand-exchange versus direct reaction with the substrate surface

著者 (3件)： LIN Jia-ming (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716) ,  TEPLYAKOV Andrew V. (Dep. of Chemistry and Biochemistry, Univ. of Delaware, Newark, Delaware 19716) ,  RODRIGUEZ-REYES Juan Carlos F. (Direccion de Investigacion, Universidad de Ingenieria y Tecnologia, Av. Cascanueces 2281, Santa Anita, Lima 43, Peru)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 31  号： 2  ページ： 021401-021401-17  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体基板上における表面を介した有機金属化合物の反応は,薄膜堆積技術,特に原子層堆積(ALD),あるいは化学気相蒸着法において重要なプロセスである。この薄膜を実際に応用する場合,多くは高純度の膜を必要とするので,好ましい表面反応や好ましくない表面反応の機構を理解し,制御することが非常に重要である。本稿では,密度汎関数理論計算によって,最も一般的に用いられる配位子,即ちアルキル(Al(CH₃)₃),アルコシド(Ti[OC₃H₇]₄),アルキルアミド(Hf[N(CH₃)₂]₄),ジケトナート(Cu(acac)₂),アミジナート(Ni[Pr-amd]₂),およびシクロペンタンジエニル(Hf(Cp)₂(CH₃)₂),を含む前駆体を考慮して,堆積の過程における潜在的な表面反応を理解するための一般的な方法を概説する。いずれの場合にも,「好ましい」配位子交換反応(殆どのALD過程の基礎)と,「好ましくない」表面反応とを比較する。この場合,前駆体は反応性の表面サイトと相互作用し,制御不能な分解経路を辿って,好ましくない元素を成長膜内に混入する。様々な前駆体を有効に比較するために,同じ表面モデル,即ちSi(100)表面と同じレベルの計算を考慮して,全ての計算を行った。計算結果から,反応性のサイトへの好ましくない配位子を介した吸着が,しばしば好ましい配位子交換反応,特にアルコシド,アルキルアミド,およびジケトナート,と競争(熱力学的および運動学的の両面において)することが分かった。また,各前駆体固有の反応性(フロンティア分子軌道に基づく)が,表面と相互作用する様態を決定することが分かった。本稿では,それぞれの前駆体の化学反応性に基づいて,好ましくない反応の予測と評価が可能であることを強調する。特定の場合に適用したこの方法は,薄膜を堆積するための前駆体の化学的性能を探るために非常に重要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 有機金属化合物 ,  表面反応 ,  *密度汎関数法 ,  *MOCVD ,  *配位子交換 ,  前駆体 ,  *吸着 ,  銅錯体 ,  ニッケル錯体 ,  ハフニウム錯体 ,  *数学モデル
準シソーラス用語： 表面モデル

分類 (1件)： 薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属 ,  堆積 ,  過程 ,  競合反応 ,  配位子交換 ,  基板表面 ,  直接反応