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J-GLOBAL ID：201302266851861542   整理番号：13A1033199

ウルツ鉱型GaN/Al_xGa_1-xN量子井戸中の界面光学フォノン及び電子-界面光学フォノン結合に対する三元混合結晶の影響

Ternary mixed crystal effects on interface optical phonon and electron-interface optical phonon coupling in wurtzite GaN/Al _x Ga_{1- x} N quantum wells

著者 (5件)： HUANG Wen-deng (MOE Key Lab. for Nonequilibrium Synthesis and Modulation of Condensed Matter and Dep. of Applied Physics, Sci. of ...) ,  HUANG Wen-deng (School of Physics and Telecommunication Engineering, Shaanxi Univ. of Technol., Hanzhong 723001, CHN) ,  CHEN Guang-de (MOE Key Lab. for Nonequilibrium Synthesis and Modulation of Condensed Matter and Dep. of Applied Physics, Sci. of ...) ,  YE Hong-gang (MOE Key Lab. for Nonequilibrium Synthesis and Modulation of Condensed Matter and Dep. of Applied Physics, Sci. of ...) ,  REN Ya-jie (School of Physics and Telecommunication Engineering, Shaanxi Univ. of Technol., Hanzhong 723001, CHN)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 35  号： 8  ページ： 1571-1576  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 修飾ランダム-元素等変位モデル及び誘電連続体モデルの枠組み内で,アルミニウム濃度の異なるGaN/Al_xGa_1-xN量子井戸中の界面光学フォノン及び電子-界面光学結合を完全数値法で調べた。その結果は,アルミニウム濃度はGaN/Al_xGa_1-xN量子井戸中の界面光学フォノン及び電子-フォノン結合で重要な影響をもつことを示した。アルミニウム濃度が低い(0.03<x<0.13)とき,高周波数領域に二つの界面光学フォノン分枝があった。アルミニウム濃度が高い(0.13<x<1.00)ときには,高及び低周波数領域に四つの界面光学フォノン分枝があった。低及び高アルミニウム濃度域における電子-フォノン結合を比較すると,高アルミニウム濃度域における電子-フォノン結合の方がより強いことが分かった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  *量子井戸 ,  界面 ,  *フォノン ,  *電子-フォノン相互作用 ,  表面フォノン ,  ウルツ鉱型結晶 ,  混晶半導体 ,  数値計算
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *光学フォノン

分類 (2件)： 表面の格子振動  (BL03060R) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ウルツ鉱 ,  GaN ,  量子井戸 ,  界面 ,  光学フォノン ,  電子 ,  混合結晶