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J-GLOBAL ID：201302268396923278   整理番号：13A0988445

インジウムすず酸化物とSchottkyコンタクトのNiO膜中の抵抗スイッチングへの影響

Effect of Indium-Tin-Oxide Schottky Contact on the Resistance Switching in NiO Film

著者 (7件)： NO Young Soo (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  NO Young Soo (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Dong-Hee (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  LEE Jeon-Kook (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  LEE Youn-Seoung (Hanbat National Univ., Daejeon, KOR) ,  KIM Tae Whan (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Won-Kook (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 5,Issue 1  ページ： 051102.1-051102.5  発行年： 2013年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/NiO/電極(EL)構造において抵抗スイッチングへの電極材料の影響が評価された,ここでELはPt,Al,インジウム-錫-酸化物(ITO)である。オーミックPtコンタクトはNiO膜にわたる抵抗スイッチングの為に,実効的電界を誘起させる必要がある事が確認された。Pt/NiO/Al構造においては,AlSchottkyコンタクトは0.66eVと測定され,Al酸化物の形成に起因するNiOの還元により誘起される整流界面における大きな電圧降下による抵抗スイッチングは観測されなかった。ITO (EL)/NiO/Pt構造においては,ITOとNiOの間のSchottkyコンタクトの障壁高はおよそ0.52eVであり,これもまたいかなる抵抗スイッチングも示さなかった。X線光電子分光法による深さプロファイル測定をとおして,ITO/NiO界面における化学反応はNiO/Alのそれに比較してあまり進行してない事が識別されたが,これはITO表面の豊富な酸素の為であろう。0.52-0.66 eVというSchottky障壁高は,抵抗スイッチングを起因するNiO膜中の十分な電界を誘起するには高すぎると判断された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  *酸化インジウムスズ ,  酸化ニッケル ,  *スイッチング ,  *電極材料 ,  白金 ,  Ohm接触 ,  X線光電子スペクトル ,  深さ分布 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (37件)：

• 1) K. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, and R. Waser: Nat. Mater. 5 (2006) 312.
• 2) R. Waser and M. Aono: Nat. Mater. 6 (2007) 833.
• 3) R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot: Adv. Mater. 21 (2009) 2632.
• 4) S.-Y. Wang, C.W. Huang, D.-Y. Lee, T.-Y. Tseng, and T.-C. Chang: J. Appl. Phys. 108 (2010) 114110.
• 5) C. C. Lin, C. Y. Lin, M. H. Lin, C. H. Lin, and T. Y. Tseng: IEEE Trans. Electron Devices 54 (2007) 3146.

タイトルに関連する用語 (3件)： インジウムすず酸化物 ,  コンタクト ,  抵抗スイッチング