文献

J-GLOBAL ID：201302268693010320   整理番号：13A0621939

低周波雑音解析で検証した酸化物ベース抵抗ランダムアクセスメモリのための電流伝導モデル

Current Conduction Model for Oxide-Based Resistive Random Access Memory Verified by Low-Frequency Noise Analysis

著者 (10件)： FANG Z. (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  YU H. Y. (South Univ. Sci. and Technol. China, Shenzhen, CHN) ,  FAN W. J. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  GHIBAUDO G. (MINATEC, Grenoble, FRA) ,  BUCKLEY J. (MINATEC, Grenoble, FRA) ,  DESALVO B. (MINATEC, Grenoble, FRA) ,  LI X. (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  WANG X. P. (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  LO G. Q. (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore) ,  KWONG D. L. (Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 3  ページ： 1272-1275  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗不揮発性メモリデバイスの材料の中で二元酸化物が注目されている。二元酸化物ベースRRAMが直面する重要課題は,異なる抵抗状態における電流伝導メカニズムの明確な形が未だ得られていないことである。導電性の高いフィラメント領域と均一リークの酸化物領域からの二つの並行抵抗で較正される導電モデルを提案し,フィラメント型スイッチング抵抗ランダムアクセスメモリセルの電流伝導を示した。異なる抵抗状態における電流揺らぎの低周波雑音解析を使ってモデルの有効性を検証した。低抵抗領域ではフィラメント抵抗が電流伝導を支配し,雑音は抵抗のべき乗則として変化する。高抵抗領域では均一な酸化物リークが伝導の主要源であり,雑音レベルは一定になる。

シソーラス用語： *低周波雑音 ,  スイッチング ,  RAM【メモリ】 ,  不揮発性メモリ ,  フィラメント ,  酸化ハフニウム ,  *電流電圧特性
準シソーラス用語： *RRAM ,  抵抗スイッチング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低周波雑音 ,  解析 ,  検証 ,  酸化物 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  伝導 ,  モデル