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J-GLOBAL ID：201302268732753114   整理番号：13A0366198

非常に薄いGaN薄膜を使用したデバイスの残留応力分布と撓み解析

Residual stress distribution and deflection analysis of very thin GaN membrane supported devices

著者 (9件)： CISMARU A (IMT-Bucharest, Bucharest, ROM) ,  MUELLER A (IMT-Bucharest, Bucharest, ROM) ,  KONSTANTINIDIS G (FORTH-IESL-MRG, Crete, GRC) ,  COMANESCU F (IMT-Bucharest, Bucharest, ROM) ,  PURICA M (IMT-Bucharest, Bucharest, ROM) ,  STEFANESCU A (IMT-Bucharest, Bucharest, ROM) ,  STAVRINIDIS A (FORTH-IESL-MRG, Crete, GRC) ,  DINESCU A (IMT-Bucharest, Bucharest, ROM) ,  MOLDOVEANU A (Politehnica Univ. Bucharest, Bucharest, ROM)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 23  号： 1  ページ： 015010,1-7  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者等は,約0.5μmのGaN薄膜を使ったFBAR(薄膜バルク音響共振器)およびUV光検出器において,基板から分離された部分で圧縮応力による撓みが生じることが分かった。本稿では,非常に薄いGaN指示デバイスの製造の技術課題を調べるために,GaN薄膜を使用したFBARsと背面照射UV光検出器における撓みと残留応力の解析を行った。撓みの測定には白色光干渉法を使った光学形状測定を行った。残留応力の測定にはマイクロRaman分光法を使った。その結果,薄膜の撓みは薄膜上に蒸着した薄い金属膜の種類と形状分布に強く依存することが分かった。金属膜のYoung率が高いほど撓みが大きくなった。残留応力は分離されていない部分と比べて分離された薄膜部では大幅に低減していることが分かった。

シソーラス用語： 音響共振器 ,  *窒化ガリウム ,  *残留応力 ,  *たわみ ,  紫外検出器 ,  光干渉法 ,  顕微Raman分光法 ,  Young率 ,  圧縮応力
準シソーラス用語： FBAR ,  GaN ,  白色光干渉法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  薄膜 ,  残留応力 ,  分布 ,  撓み ,  解析