金属誘起横方向結晶化に対するMSi<sub>2</sub>/Si(111)(M=Co,Ni)界面構造の効果

AHN Ji-su; YOON Yeo-geon; KIM Deok-kee; JOO Seung-ki

文献

J-GLOBAL ID：201302269158591514 整理番号：13A1323577

金属誘起横方向結晶化に対するMSi₂/Si(111)(M=Co,Ni)界面構造の効果

Effect of MSi₂/Si(111) (M=Co, Ni) interface structure on metal induced lateral crystallization

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資料名：
巻： 542 ページ： 426-429 発行年： 2013年09月02日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

MSi₂/Si(111)(M=Co,Ni)の結晶学的界面構造は金属誘起横方向結晶化(MILC)に有意な影響を与えた。NiによるMILC(ここではNiSi₂における半分だけのSi原子が位置を変えることが要求される)が,CoによるMILC成長よりも選択された。CoによるMILC成長では,CoSi₂におけるすべてのSi原子が位置を変えることが要求される。このことは実験結果により検証された。純粋Niの場合,MILC領域前面でのMILC針状結晶粒の一方向成長が支配的になり,二方向分割は制約された。MSi₂/a-Si界面でのSi原子吸着前に金属原子の移動をa-Si領域に添加することにより,いわゆる「NiイオンNi空格子点ホッピング模型」を修正した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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半導体薄膜

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金属誘起横方向結晶化に対するMSi2/Si(111)(M=Co,Ni)界面構造の効果

金属誘起横方向結晶化に対するMSi₂/Si(111)(M=Co,Ni)界面構造の効果