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J-GLOBAL ID：201302269189729492   整理番号：13A1921030

バンド端電子構造と非結晶SiO₂とGeO₂が沈着したリモートプラズマにおける事前の欠陥

Band-edge electronic structures, and pre-existing defects in remote plasma deposited (RPD) non-crystalline (nc-) SiO₂and GeO₂

著者 (1件)： LUCOVSKY Gerald (North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 83  ページ： 30-36  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *電子構造 ,  *バンドギャップ ,  非晶質 ,  酸化ゲルマニウム ,  *プラズマ ,  分布 ,  *欠陥 ,  X線分光法 ,  X線吸収 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  *事前分布 ,  *非晶質二酸化ケイ素 ,  *二酸化ゲルマニウム

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： バンド端 ,  電子構造 ,  非結晶 ,  SiO2 ,  沈着 ,  リモートプラズマ ,  欠陥