FONTSERE A. について
IMB-CNM-CSIC, Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, ESP について
PEREZ-TOMAS A. について
IMB-CNM-CSIC, Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, ESP について
PLACIDI M. について
IREC, Jardins de les Dones de Negre 1, 08930 Sant Adria de Besos, Barcelona, ESP について
BARON N. について
CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, FRA について
CHENOT S. について
CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, FRA について
MORENO J. C. について
CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, FRA について
RENNESSON S. について
CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, FRA について
CORDIER Y. について
CRHEA-CNRS, Rue Bernard Gregory, Sophia Antipolis, 06560 Valbonne, FRA について
Applied Physics Letters について
HEMT について
窒化ガリウム について
窒化アルミニウム について
化合物半導体 について
MBE成長 について
活性化 について
漏れ電流 について
ウエハ【IC】 について
基板 について
スイッチ について
オン抵抗 について
比率 について
ドレイン【半導体】 について
インピーダンス について
Poole-Frenkel効果 について
散乱 について
フォノン について
熱電子放出 について
熱影響 について
オンオフ比 について
サファイア基板 について
シリコン基板 について
ドレイン電流 について
パワースイッチ について
フォノン散乱 について
極性光学フォノン について
窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウムHEMT について
熱インピーダンス について
熱活性化 について
飽和電流 について
トランジスタ について
シリコン について
サファイア について
分子ビーム について
エピタキシャル について
AlGaN について
GaN について
高電子移動度トランジスタ について
リーク について
熱活性化 について