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J-GLOBAL ID：201302270053586416   整理番号：13A1311144

異なるAl₂O₃成分を持つInP上の原子層蒸着(HfO₂)_1-x(Al₂O₃)_xナノラミネート膜

Atomic-layer-deposited (HfO₂)_1-x(Al₂O₃)_x nanolaminate films on InP with different Al₂O₃ contents

著者 (4件)： AN Chee-Hong (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  MAHATA Chandreswar (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  BYUN Young-Chul (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Hyoungsub (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 46  号： 27  ページ： 275301,1-6  発行年： 2013年07月10日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層蒸着を用いて,InP基板上に(HfO₂)_1-x(Al₂O₃)_xナノラミネート膜を作製し,HfO₂/Al₂O₃混合比と膜の電気的性質との関係を調べた。Al₂O₃の比率が増すと,Inの拡散とInに関連した酸化物相の生成が抑えられ,誘電特性が著しく改善された。また,界面トラップと界面状態密度が減少し,容量電圧周波数分散の大きさが減少した。さらに,電圧応力依存信頼性が向上し,漏れ電流特性も改善されることがわかった。

シソーラス用語： 酸化アルミニウム ,  酸化ハフニウム ,  酸化物 ,  薄膜 ,  リン化インジウム ,  化学蒸着 ,  *積層材料 ,  *ナノ構造 ,  *超薄膜 ,  *電気的性質 ,  誘電性 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 酸化物薄膜 ,  原子層蒸着 ,  *ラミネート ,  *ナノ膜

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al2O3 ,  InP ,  原子層蒸着 ,  HfO2 ,  ラミネート膜