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J-GLOBAL ID：201302270081702618   整理番号：13A1815275

P過剰GaN_xP_1-x(0<x≦0.05)の組成と温度に依存するバンドギャップエネルギーの発展

The evolution of the band gap energy of the P-rich GaN_xP _1-x(0 < x≦0.05) on composition and temperature

著者 (5件)： ZHAO Chuan-Zhen (Tianjin Polytechnics Univ., Tianjin, CHN) ,  WANG Sha-Sha (Tianjin Polytechnics Univ., Tianjin, CHN) ,  LU Ke-Qing (Tianjin Polytechnics Univ., Tianjin, CHN) ,  WEI Tong (Civil Aviation Univ. China, Tianjin, CHN) ,  LI Na-Na (Tianjin Polytechnics Univ., Tianjin, CHN)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 427  ページ： 58-61  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *バンドギャップ ,  エネルギー ,  *化学組成 ,  *温度依存性 ,  *リン化ガリウム ,  *窒素 ,  *ドーピング ,  *不純物準位 ,  モデル ,  バンド構造
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  バンド反交差モデル

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 組成 ,  バンドギャップエネルギー ,  発展