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J-GLOBAL ID：201302270206822220   整理番号：13A1605429

ZnSeベースの傾斜ギャップ層を持つ光電変換器

Photoelectric converters with graded-gap layers based on ZnSe

著者 (4件)： BOBRENKO Yu. N. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  PAVELETS S. Yu. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  PAVELETS A. M. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  YAROSHENKO N. V. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 03028, Kyiv, UKR)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 47  号： 10  ページ： 1372-1375  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 配向多結晶CdSe層をZnSeエピタキシャル成長のための基板として用いた。活性エピタキシャル層と基板材料間の格子定数不整合に起因する欠陥形成を排除するために,傾斜ギャップCd_xZn_1-xSe中間層を成長させた。この構造においては成長層を通過する基板からのドナー型点欠陥の成長が低抵抗率ZnSe層の出現に導く。障壁形成p-Cu_1.8S層をZnSe上に堆積した。表面-障壁変換器のp-Cu_1.8S-n-ZnSe界面での光キャリアの再結合損失を減らすために,光電変換器の空間電荷領域中に追加の傾斜ギャップ層を挿入することを示唆し,実施した。Copyright 2013 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セレン化亜鉛 ,  エピタクシー ,  *基板 ,  格子不整合 ,  *エネルギーギャップ ,  *傾斜機能材料 ,  *点欠陥 ,  ドナー ,  *ポテンシャル障壁 ,  *光起電素子 ,  *セレン化カドミウム ,  *硫化銅 ,  層 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： 中間層 ,  光電変換器

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnSe ,  ギャップ ,  光電変換器