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J-GLOBAL ID：201302270414276883   整理番号：13A0412098

エネルギーデポジション分布を用いてカリクサレンとZEP520レジストのナノサイズパターンを比較

Comparison of Nano-sized Pattern of Calixarene and ZEP520 Resists by Using Energy Deposition Distribution

著者 (5件)： ZHANG Hui (Gunma Univ., JPN) ,  KOMORI Takuya (Gunma Univ., JPN) ,  MOHAMAD Zulfakri (Gunma Univ., JPN) ,  YIN You (Gunma Univ., JPN) ,  HOSAKA Sumio (Gunma Univ., JPN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 534  ページ： 107-112  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レジスト中のエネルギーデポジション分布(EDD)の空間分布は電子線露光で得られた潜像特性に影響する最も重要な値である。カリクサレンネガレジストとZEP520ポジレジストの露光と現像プロセスを数値的にモデル化し,ナノサイズパターンを比較した。種々のビーム径でレジスト中のEDDを計算した結果,微細なドット形成には直径2nmの微細なガウスビームと薄いレジストが必要であった。カリクサレンレジストのEDDサイズは2.7nmで,ZEP520レジストの3.4nmよりも小さかった。カリクサレンレジストによりピッチサイズ20nm,ドットサイズ10nm以下が可能であったが,ZEP520レジストでは毛管力のため小さなパターンは得られない。

シソーラス用語： *レジスト ,  *電子ビームリソグラフィー ,  エネルギー移動 ,  空間分布 ,  ナノ構造 ,  分解能 ,  *パターン形成 ,  カリックスアレーン
準シソーラス用語： カリキサレン ,  エネルギーデポジション ,  *ナノパターニング ,  モンテカルロシミュレーション ,  ナノドット ,  ポジレジスト ,  ネガレジスト

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： エネルギーデポジション ,  分布 ,  カリクサレン ,  レジスト