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J-GLOBAL ID：201302271134373260   整理番号：13A1749076

CD-SEMを用いたダイ内オーバレイ計測

In-die Overlay Metrology by using CD-SEM

著者 (4件)： INOUE Osamu (Hitachi High-Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  KATO Takeshi (Hitachi High-Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  OKAGAWA Yutaka (Hitachi High-Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  KAWADA Hiroki (Hitachi High-Technol. Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8681  号： Pt.2  ページ： 86812S.1-86812S.9  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路のパターンが縮小すると共に,オーバレイ制御が半導体製造の最も重要な問題の一つになってきた。製品ウエハ上のオーバレイは現像後検査(ADI)やエッチ後検査(AEI)の様々なプロセス段階で測定される。本論文では,クリティカルディメンジョン-走査電子顕微鏡(CD-SEM)を用いたダイ内オーバレイ計測法を示した。本方法ではターゲット面積を5×5μm以下にでき,測定パターンの大きさと特徴を素子の設計と同じように設定できる。テストウエハ上の計画シフトパターンを測定して,本方法を実証した。

シソーラス用語： *走査電子顕微鏡 ,  *計測 ,  回路パターン形成 ,  半導体プロセス ,  ウエハ【IC】 ,  重合せ ,  半導体集積回路
準シソーラス用語： *CD-SEM【顕微鏡】 ,  オーバレイ【重合せ】 ,  *オーバレイ計測 ,  *クリティカルディメンジョン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： CD-SEM ,  ダイ ,  オーバレイ ,  計測